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tungstênio cobertor blindagem

Tungsten Blindagem Blanket

Tradicionalmente, a lideran?a tem sido o produto de escolha para prote??o contra radia??es. Tungsten blindagem cobertor tem a capacidade de campo-fit, que prevê a atenua??o da radia??o totalizando 5-10 pessoas-REM / ano do que o previsto pelo peso equivalente a manta de chumbo tradicional. E desde que a liga de tungstênio é mais fino e pesa tanto quanto 50 por cento menos do que o chumbo, pode ser mais indulgente quando os trabalhadores est?o realizando as atividades físicas necessárias em uma usina de energia nuclear.
tungsten shielding blanket

Com a mesma densidade, cobertor de tungstênio tem a espessura semelhante de cobertores de chumbo. E altamente flexível e pode ser moldado ou formado em qualquer forma. Muitas vezes, a pre?os competitivos para levar alternativas. Ele irá projetar e fabricar perfis especializados, lajes e fita, incluindo quot bloqueável &; alta Rad " aplica??es.

Aqui, o método descrito acima tem um efeito de preven??o da reac??o directa de Ti e WF.sub.6 quando uma camada de ades?o é uma camada de laminado dos filmes de Ti / TiN e um cobertor de blindagem de tungsténio é formada sobre a camada de ades?o. Uma reac??o directa de Ti e WF.sub.6 irá formar um substrato sólido, o qual irá exibir uma expans?o de volume e tornam-se uma causa de peeling-off de uma camada.

Quando uma camada de ades?o para a forma??o de uma manta de blindagem de tungsténio é formado por pulveriza??o catódica, o substrato é frequentemente fixada a uma montagem utilizando um suporte ou ganchos. No por??es sob esses ganchos, um filme SiO.sub.2 que é uma camada isolante inter-layer é exposta porque quase nenhum filme é formado sob os ganchos por pulveriza??o catódica. Quando um cobertor tungstênio blindagem cresce na SiO.sub.2 exposto, o cobertor tungstênio blindagem é facilmente arrancado por causa do anti partículas fraca ades?o s?o produzidos.

Descri??o do Tungsten Blanket

Normalmente, como um plug para conex?o de camadas de fia??o de cabos de múltiplas camadas, tungstênio, que é tem sido empregado um metal refratário. No entanto, a liga de tungstênio tem uma fraca ades?o com SiO.sub.2. Assim, para a forma??o de manta de tungstênio em uma inter-camada de película isolante formada por SiO.sub.2, camada de ades?o laminado de Cinema de titanio é formado em primeiro lugar e, em seguida, cobertor de tungstênio é formado sobre a mesma.

Tungsten Blanket Deposition

Aparelho cobertor deposi??o de tungsténio compreende um reactor no interior do qual é evacuatable, uma entrada de gás de meios para introduzir um gás de reac??o, para dentro do reactor, meios para montar a montagem de um substrato objecto a ser tratado, os meios de preven??o de penetra??o, para prevenir a penetra??o de gás, disposto para cobrir uma parte periférica de uma superfície do substrato objecto a ser tratado e com um diametro interno menor do que um diametro do substrato objecto e um perímetro exterior maior do que a do substrato de objecto, uma outra entrada de gás e meios para introduzir um gás com um espa?o na periferia do substrato objecto coberto pelo que os meios de preven??o de penetra??o. Crescimento de manta de tungsténio sobre uma por??o periférica SiO.sub.2 de substrato é impedido e, consequentemente, a produ??o de partículas causadas pela casca-off de manta de tungsténio é impedida.

Para impedir o crescimento de um cobertor de tungsténio sobre o filme SiO.sub.2 exposto, o filme exposto SiO.sub.2 em torno do substrato é coberto com um anel para a preven??o de gás de reac??o atinja o filme exposto de SiO.sub. 2.
No método da técnica anterior de forma??o de manta de tungsténio descrito acima, quando um gás de SiH.sub.4 ou SiH.sub.2 Cl.sub.2 é deixada fluir sobre uma superfície de um substrato para formar nela uma camada fina de silício , que n?o sejam fornecidos à parte coberta por um anel para impedir a penetra??o de gás de reac??o. Assim, uma camada de SiO.sub.2 está exposta na periferia do substrato.
No processo seguinte de forma??o de película WSI, fornecendo um fluxo de gás WF.sub.6, WF.sub.6 pode penetrar uma parte onde SiO.sub.2 filme é exposto sobre uma periferia do substrato. Neste caso, o cobertor de tungsténio cresce directamente sobre a película SiO.sub.2, e resulta na produ??o de partículas.


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